AS3004204-0054X0PSAY

Avalanche Technology
793-30042040054X0PSY
AS3004204-0054X0PSAY

メーカ：

詳細：
MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Avalanche Technology
製品カテゴリー: MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:  
SOIC-8
QSPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
20 ns
2.7 V
3.6 V
23 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3004204
Tray
ブランド: Avalanche Technology
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 300
トレードネーム: STT-MRAM, MRAM
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データシート

Models

コンプライアンスコード
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

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