CY62177G30-55BAXI

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727-CY62177G3055BAXI

CY62177G30-55BAXI

メーカ:

詳細:
SRAM Micropower SRAMs

ライフサイクル:
新製品: このメーカーの新製品
ECADモデル:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
1 ¥5,201.4 ¥5,201
10 ¥4,825 ¥48,250
25 ¥4,651.6 ¥116,290
50 ¥4,535.9 ¥226,795
100 ¥3,975.4 ¥397,540
210 ¥3,863.3 ¥811,293
420 見積り

他のパッケージ

Tray
非在庫リードタイム 15 週間
¥3,808
4800
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製品属性 属性値 同様の検索
Cypress Semiconductor
SRAM
RoHS:  詳細
Tray
ブランド: Cypress Semiconductor
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
工場パックの数量: 210
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
ECCN:
3A991.b.2.a

MoBL®超高信頼性・非同期SRAM

Cypress MoBL®超高信頼性・非同期SRAMには、信頼性が高い多種多様な産業、通信、データ処理、医療、コンシューマー、軍事アプリケーションで機能できる性能が備わっています。これらのSRAMは、オンチップECCで利用可能です。これらのデバイスは、旧世代の非同期SRAMとの互換性があるフォームフィット機能です。これによってユーザーは、PCB再設計に投資することなくシステムの信頼性を向上できます。これらは、高速非同期SRAMのアクセス時間、および独自の超低消費電力PowerSnooze™が組み合わされた、ファミリ初のデバイスです。これらのCypress高速SRAMは、非同期SRAMアプリケーションでの性能と電力消費の間のトレードオフを排除します。既存ファミリの製品の最高クラスの機能は、PowerSnoseと呼ばれる新しい超低消費電力スリープモードの実現によって達成されています。PowerSnooseは、スタンダードの非同期SRAM動作モード(アクティブ、待機、データ保持)に追加される動作モードです。ディープスリープピン(DS#)を使用すると、高性能アクティブモードと超低消費電力PowerSnoozeモードの間でデバイスを切り替えることができます。4Mビットデバイスで最小15μAまでのディープスリープ電流をともなう高速SRAM(PowerSnooze搭載)には、高速Micropower SRAMの優れた機能が1つのデバイスに組み合わされています。

画像 メーカ 部品番号 説明 在庫
Omron A6FR-8104 Also Bought Image A6FR-8104
DIP スイッチ/SIP スイッチ
1,150
JAE Electronics DX07BN24JA2R1300 Also Bought Image DX07BN24JA2R1300
USBコネクタ
747
Panduit PLT1.5M-M Also Bought Image PLT1.5M-M
結束バンド
46,976
Omron G3VM-61GR2 Also Bought Image G3VM-61GR2
ソリッドステートリレー:PCBマウント
214
Panasonic ECH-U1H103GX5 Also Bought Image ECH-U1H103GX5
フィルムコンデンサ
16,547
Panasonic ECH-U1H471GX5 Also Bought Image ECH-U1H471GX5
フィルムコンデンサ
13,716
Vishay CRCW12061K00FKEAHP Also Bought Image CRCW12061K00FKEAHP
厚膜抵抗器 - SMD
9,699
Alps Alpine SKRKAEE020 Also Bought Image SKRKAEE020
タクタイルスイッチ
358
Broadcom Limited HLMP-S201 Also Bought Image HLMP-S201
標準LED - スルーホール
19,104
LEMO EPG.0B.307.HLN Also Bought Image EPG.0B.307.HLN
丸形プッシュプルコネクタ
97