GS8161E18DGD-250IV

GSI Technology
464-8161E18DGD250IV
GS8161E18DGD-250IV

メーカ：

詳細：
SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M

データシート:
ECADモデル:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥8,681.4 ¥8,681
¥8,373.3 ¥83,733
¥7,463.8 ¥134,348
¥7,157.3 ¥772,988
¥6,997.6 ¥1,763,395
504 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
GSI Technology
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
2.7 V
1.7 V
225 mA, 245 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
ブランド: GSI Technology
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: GS8161E18DGD
工場パックの数量: 18
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: SyncBurst
タイプ: DCD Pipeline/Flow Through
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854232029
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b
原産地分類
原産国:
入手不可
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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