DKR400AB60

Name: SanRex DKR400AB60
Brand: SanRex
SKU: 197-DKR400AB60
Price: 9036 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

197-DKR400AB60

メーカ番号：

DKR400AB60

メーカ：

SanRex

詳細：

ダイオード・モジュール Discrete Semiconductor Modules 600V 400A

データシート:

DKR400AB60 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

SanRex DKR400AB60の詳細を読む

在庫: 12

在庫：: 12

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 160

予想2026/09/02

110

予想2026/09/29
工場リードタイム：: 26

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥9,036.7	¥9,037
	¥7,475.2	¥74,752
	¥5,561.6	¥556,160

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SanRex
製品カテゴリー:	ダイオード・モジュール
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	600 V
タイプ:	Non-Isolated
構成:	Dual-Common Cathode
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.4 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
シリーズ:	DKR
パッケージ化:	Tray
ブランド:	SanRex
製品タイプ:	Diode Modules
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
技術:	Si
トレードネーム:	SanRex
単位重量:	80 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

DKR400AB60 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854110090
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Fast Recovery Diode Modules

SanRex Fast Recovery Diode Modules are high‑power semiconductor rectifier devices designed for use in industrial power conversion and motor control systems. These SanRex modules are optimized to handle high current and high voltage operation while maintaining fast reverse recovery characteristics, making the devices well-suited for modern high‑frequency switching applications. The modules employ fast recovery or soft recovery diode structures to minimize reverse recovery time and switching losses. This performance characteristic is critical when the diodes are used in conjunction with IGBTs, MOSFETs, and power transistors, where excessive recovery current can increase losses, electromagnetic noise, and device stress. By reducing the reverse recovery charge, these modules help improve overall system efficiency and reliability.