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FM28V020-SGTR

Name: Infineon FM28V020-SGTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM28V020-SGTR
Price: 2464 JPY
Availability: InStock

Mouser 番号：

877-FM28V020-SGTR

メーカ番号：

FM28V020-SGTR

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

データシート:

FM28V020-SGTR データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 1,911

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¥-

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パッケージング:

完全リール（1000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥2,464.6	¥2,465
	¥2,286.9	¥22,869
	¥2,216.8	¥55,420
	¥2,163	¥108,150
	¥2,109.2	¥210,920
	¥2,081.5	¥520,375
	¥2,029.4	¥1,014,700
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥1,972.3	¥1,972,300
2,000	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

FM28V020-SG

梱包:

Tube

在庫状況:

在庫

価格:

¥2,727

最低:

類似製品

メーカ：

Infineon Technologies

メーカ番号：

FM28V020-SG

詳細：

F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	F-RAM
RoHS:
メモリサイズ:	256 kbit
インタフェースタイプ:	Parallel
編成:	32 k x 8
パッケージ/ケース:	SOIC-28
アクセス時間:	60 ns
供給電圧 - 最小:	2 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	FM28V020-SG
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Infineon Technologies
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
動作供給電圧:	3.3 V
製品タイプ:	FRAM
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
単位重量:	2.215 g

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選択した属性: 0

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データシート

FM28V020-SGTR データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8542320905
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: タイ
拡散国:: アメリカ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.