GCMS016C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS016C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS016C120S1-E1
Price: 5361 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

148-GCMS016C120S1-E1

メーカ番号：

GCMS016C120S1-E1

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

GCMS016C120S1-E1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

SemiQ GCMS016C120S1-E1の詳細を読む

在庫状況

在庫：: 在庫なし

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 8 週間工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥5,361.6	¥5,362
	¥4,572.8	¥45,728
	¥4,000	¥480,000
510	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	103 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	23 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	303 W
シリーズ:	GCMS
パッケージ化:	Tube
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	27 ns
高さ:	12.19 mm
長さ:	38.1 mm
製品:	Power Modules
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	26 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
標準電源切断遅延時間:	65 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	2.2 V
幅:	25.3 mm

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

GCMS016C120S1-E1 データシート (PDF)

GEN3 1,200V SiC MOSFET パワーモジュール

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.