IXFH70N65X3

Name: IXYS IXFH70N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH70N65X3
Price: 3069 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFH70N65X3

メーカ番号：

IXFH70N65X3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247

データシート:

IXFH70N65X3 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 953

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	¥2,293.4	¥22,934
	¥1,980.5	¥237,660
	¥1,876.1	¥956,811
	¥1,778.3	¥1,813,866

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	70 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	44 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.2 V
Qg - ゲート電荷:	66 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	780 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
下降時間:	13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	26 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	88 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	29 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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