KTDM2G3C618BGIEAT

SMARTsemi
473-M2G3C618BGIEAT
KTDM2G3C618BGIEAT

メーカ：

詳細：
DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
SMARTsemi KTDM2G3C618BGIEATの詳細を読む

在庫: 124

在庫：
124 すぐに出荷可能
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,910.4 ¥1,910
¥1,861.5 ¥18,615
¥1,581.1 ¥313,058
¥1,540.4 ¥914,998
¥1,501.2 ¥1,783,426
2,574 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
SMART
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
2 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
128 M x 16
1.283 V
1.575 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
ブランド: SMARTsemi
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 198
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。