NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS0D5N04XMT1G
NTMFS0D5N04XMT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

データシート:
ECADモデル:
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onsemi NTMFS0D5N04XMT1Gの詳細を読む

在庫: 119

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予想2026/07/17
工場リードタイム：
51
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥590.1 ¥590
¥384.7 ¥3,847
¥269 ¥26,900
¥221.7 ¥110,850
¥197.2 ¥197,200
完全リール（1500の倍数で注文）
¥197.2 ¥295,800

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
414 A
520 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
97.5 nC
- 55 C
+ 175 C
163 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 7.91 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 267 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 9.73 ns
シリーズ: NTMFS0D5N04XM
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 46.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 30 ns
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
マレーシア
組立原産国:
マレーシア
拡散国:
日本
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PowerTrench技術

Onsemi  PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への 進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

40V パワーMOSFET

オンセミ (onsemi) 40VパワーMOSFET は標準のゲートレベル技術を特徴とし、クラス最高のオン抵抗を誇ります。オンセミ (onsemi) MOSFETは、モータドライバアプリケーション用に設計されています。このデバイスは、より低いオン抵抗とゲート電荷の低減によって、導通損失と駆動損失を効果的に最小限に抑えます。さらに、MOSFETは、ボディダイオード逆回復のための優れたソフト性制御を実現しており、アプリケーションに追加のスナバ回路を必要とせずに電圧スパイク応力を効果的に軽減します。

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