SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 シリーズ パッケージ化
SemiQ MOSFETモジュール 1200V SiC MOSFET Power Module 36在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 57 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V - 55 C + 175 C 242 W Tube
SemiQ MOSFETモジュール 1200V SiC COPACK Power Module 1在庫
30予想2026/06/19
最低: 1
複数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 57 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V - 55 C + 175 C 242 W Tube
SemiQ MOSFETモジュール SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227 7在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 2 V - 55 C + 175 C 142 W Tube
SemiQ MOSFETモジュール SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227 非在庫リードタイム 3 週間
最低: 1
複数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 113 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 395 W GCMX Tube