Diodes Incorporated DXTN/P 78Q / 80Q バイポーラトランジスタ

Diodes Incorporated DXTN/P 78Qおよび80Q バイポーラトランジスタは、定格30V、60V、100Vでラインアップされており、要求水準の厳しい車載用パワースイッチングと制御に適した優れた伝導効率と熱性能を備えています。超低VCE(SAT) NPNおよびPNPバイポーラトランジスタは、MOSFETおよびIGBTゲート駆動、ロードすいスイッチ、LDOレギュレーション、DC/DC変換、モータ/アクチュエータ制御などのアプリケーションをサポートする12V、24V、48Vシステムに最適です。

Diodes Inc DXTN/P 78Qおよび80Q バイポーラトランジスタは、+175°Cに定格されており、高いESD堅牢性 (HBM 4kV、CDM 1kV) が特長で、過酷な環境下での安定動作を確保できます。コンパクトなPowerDI® 3333-8パッケージ (3.3mm x 3.3mm) を採用しており、SOT223に比べてPCBフットプリントを最大75%削減できる他、極めて低い熱抵抗 (4.2°C/W) を実現します。

サイドウォールプレーッタブル (SWP) 技術によってAOIの視認性とはんだ接合強度を高め、高効率・高信頼性の製造を実現します。DXTN/P 78Q / 80Q トランジスタは、最大100VのBVCEO、10Aの連続電流(ピーク時20A)、最小で17mVの飽和電圧を実現しており、導通損失を最大50%低減し、より低発熱で効率的な設計が可能です。

特徴

  • 優れた効率
  • コンパクトで熱性能が高いパッケージ
  • 広いアプリケーション範囲
  • 厳格な製造と品質保証
  • 車載準拠の信頼性

アプリケーション

  • MOSFETおよびIGBTゲートドライバ
  • 負荷スイッチ
  • リニア電圧レギュレーション
  • DC/DCコンバータ
  • モータ、ソレノイド、リレー、アクチュエータの制御

代表的なアプリケーション

アプリケーション回路図 - Diodes Incorporated DXTN/P 78Q / 80Q バイポーラトランジスタ
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部品番号 データシート コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 連続コレクタ電流 利得帯域幅製品 fT
DXTN78030DFGQ-7 DXTN78030DFGQ-7 データシート 30 V 9 A 260 MHz
DXTN78060DFGQ-7 DXTN78060DFGQ-7 データシート 60 V 6 A 250 MHz
DXTN78100CFGQ-7 DXTN78100CFGQ-7 データシート 100 V 4 A 210 MHz
DXTN80030DFGQ-7 DXTN80030DFGQ-7 データシート 30 V 10 A 130 MHz
DXTN80060DFGQ-7 DXTN80060DFGQ-7 データシート 60 V 6.5 A 140 MHz
DXTN80100CFGQ-7 DXTN80100CFGQ-7 データシート 100 V 5.5 A 125 MHz
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ-7 データシート 30 V - 6.5 A 315 MHz
DXTP78060DFGQ-7 DXTP78060DFGQ-7 データシート 60 V - 4.5 A 320 MHz
DXTP78100CFGQ-7 DXTP78100CFGQ-7 データシート 100 V - 2.5 A 290 MHz
DXTP80060DFGQ-7 DXTP80060DFGQ-7 データシート 60 V - 6 A 180 MHz
公開: 2026-02-10 | 更新済み: 2026-02-16