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STGAP2SICS

Name: STMicroelectronics STGAP2SICS
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGAP2SICS
Price: 516 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGAP2SICS

メーカ番号：

STGAP2SICS

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STGAP2SICS データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 1,523

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥516.7	¥517
	¥387.9	¥3,879
	¥324.4	¥8,110
	¥309.7	¥30,970
	¥298.3	¥74,575
	¥291.8	¥145,900
	¥269	¥215,200

他のパッケージ

メーカ部品番号:

STGAP2SICSTR

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥906

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:
シリーズ:	STGAP2SICS
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8W
絶縁電圧:	5 kV
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
伝搬遅延 - 最大:	90 ns
上昇時間:	30 ns
下降時間:	30 ns
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Non-Inverting
水分感度:	Yes
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	4 A
製品:	Isolated Gate Drivers
製品タイプ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大:	5.5 V
供給電圧 - 最小:	3 V
技術:	SiC
タイプ:	Half-Bridge
単位重量:	150 mg

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選択した属性: 0

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データシート

STGAP2SICS データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STGAP2INSICシングルゲートドライバ

STMicroelectronics STGAP2SICSシングルゲートドライバは、ゲート駆動チャンネルと低電圧制御およびインターフェイス回路の間のガルバニック絶縁を実現するシングルゲートドライバです。ゲートドライバは、4A機能およびレール-to-レール出力が特徴で、産業アプリケーションにおける電力変換やモータドライバインバータといったミッドパワーおよびハイパワー・アプリケーションにも適しています。このデバイスは、2つの異なる構成でご用意があります。分離された出力ピン（STGAP2SICSTR）による構成によってユーザーは、専用のゲート抵抗を使用することによって電源ONとOFFを個別に最適化できます。単一の出力ピンとミラークランプ機能を特徴とする構成（STGAP2SICSCTR）によって、ハーフブリッジトポロジでの高速転流中のゲートスパイクを回避できます。どちらの構成も高い柔軟性を実現しており、外付けコンポーネントの部品表が削減されています。

STGAP2SiCDガルバニック絶縁デュアルゲートドライバ

STMicroelectronics STGAP2SiCDガルバニック絶縁4Aデュアルゲートドライバは、ゲート駆動チャンネルと低電圧制御およびインターフェイス回路の間でガルバニック絶縁を実現します。STGAP2SiCDゲートドライバは、4A機能およびレール・ツー・レール出力が特徴で、産業アプリケーションにおける電力変換や工業モータドライバインバータといったミッドパワーおよびハイパワー・アプリケーションに適しています。