FGA6560WDF

512-FGA6560WDF
FGA6560WDF

メーカ：

詳細：
IGBT IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench

ライフサイクル:
製造中止
データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
配送制限
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RoHS:  
Si
TO-3PN
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
120 A
306 W
- 55 C
+ 175 C
FGA6560WDF
Tube
ブランド: onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値: 120 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 400 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.401 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

ON Semiconductor FGA6560WDF 650V 60AフィールドストップトレンチIGBT

ON Semiconductor FGA6560WDF 650V 60AフィールドストップトレンチIGBTは、新しい種類のフィールドストップIGBT技術を採用しています。 このシリーズであるフィールドストップ第3世代のIGBTは、低導電損失と低スイッチング損失が重要である溶接機アプリケーションに最適なパフォーマンスを提供します。
詳細

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