AS3001316-035nX0PTAY

Avalanche Technology
793-31316035NX0PTAY
AS3001316-035nX0PTAY

メーカ：

詳細：
MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Avalanche Technology
製品カテゴリー: MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:  
TSOP-44
Parallel
1 Mbit
64 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3001316
Tray
ブランド: Avalanche Technology
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 135
トレードネーム: STT-MRAM, MRAM
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データシート

コンプライアンスコード
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パラレルP-SRAMメモリ

Avalanche Technology パラレル・パーシステントSRAMメモリは、1Mbit～32Mbitの密度範囲を提供する磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）です。P-SRAMメモリは、2.7V～3.6Vの電圧範囲で動作します。P-SRAMメモリデバイスは、小型フットプリント54ピンTSOP、44ピンTSOP、48ボールFBGAパッケージでご用意があります。これらのパッケージは、類似の低消費電力揮発性および非揮発性製品との互換性があります。パラレル・パーシステントSRAMメモリデバイスは、-40°C～85°Cの産業用および-40°C～105°Cの工業PLUS動作温度範囲で販売されています。

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