IX4351NETR

IXYS Integrated Circuits
747-IX4351NETR
IX4351NETR

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ 9A GATE DRIVERS LOW SIDE SIC

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥480 ¥480
¥360 ¥3,600
¥329.6 ¥8,240
¥284.8 ¥28,480
¥257.6 ¥64,400
¥243.2 ¥121,600
¥241.6 ¥241,600
完全リール(2000の倍数で注文)
¥230.4 ¥460,800

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メーカ 部品番号:
梱包:
Tube
在庫状況:
在庫
価格:
¥456
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
1 Driver
1 Output
9 A
- 10 V
25 V
10 ns
10 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
ブランド: IXYS Integrated Circuits
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: SiC
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

ヒートポンプ

リテルヒューズ (Littelfuse)は、ヒューズ、TVS ダイオード、ゲートドライバーなど、ヒートポンプ用のコンポーネントの幅広いポートフォリオを提供しています。熱ポンプ市場は急速に成長しており、政府の取り組みにより温室効果ガスの排出量を削減し、エネルギーコストを増加させています。インバーター駆動モーターによるシステム効率の向上により、ヒートポンプは幅広い気候で使用できるようになりました。リテルヒューズ (Littelfuse)の技術が熱ポンプをより安全に、より信頼性が高く、よりエネルギー効率の高いものにする方法をご覧ください。インバータ駆動モーターがシステム効率を向上させるため、幅広い気候条件の下で熱ポンプを使用できます。これらのコンポーネントは、エネルギー管理、セキュリティ・システム、HVACシステム、煙感知器、モノのインターネット(IoT)制御アプリケーションなどさまざまなアプリケーションに適しています。リテルヒューズ (Littelfuse)は、ビルの信頼性、安全性、エネルギー効率を向上させる保護、制御、センス技術を提供しています。

ソーラーインバータとバッテリエネルギー貯蔵システム

Littelfuse ソーラーインバーターとバッテリーエネルギー貯蔵システム (BESS) は、AC結合とDC結合の両方のソーラーシステムで動作します。AC結合ソーラーシステムは2つのインバータが特徴で、より高い柔軟性と簡単な設置に対応します。DC結合ソーラーシステムには単一のインバータがあり、BESSとPVの間の短いケーブルによって損失が低減されるため、より高い効率性を実現します。Littelfuse ソーラーインバータとBESS部品には、TVSダイオード、MOSFET、IGBTドライバ、ヒューズ、リレーなどが含まれます。

ローサイドゲートドライバIC

IXYS Integrated Circuitsには、ローサイドMOSFETおよびIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)ゲートドライバICの豊富なポートフォリオがあります。これらのドライバは、1.5A~30Aの出力電流定格、最大40Vの電圧定格が特徴で、DIP、SOIC、DFN、TO-220、TO-263パッケージでご用意があります。車載グレードAEC-Q100ゲートドライバは、4A、5A、9A、14A出力をご用意しています。IXYS Integrated Circuitsローサイドゲートドライバは、超高速、高電流MOSFETおよびIGBTゲートドライバで、モータ駆動および電力変換アプリケーションでの高効率性能を目的に最適化されています。

オフハイウェイ車両電気自動車ソリューション -

Littelfuse は、 オフハイウェイ電気自動車を対象とした広範なソリューションを提供しています。これらの電気自動車は、同様のアーキテクチャを共有しており、48V~ 400Vの電力範囲を備えています。オフロード電気自動車には、電気フォークリフト、ゴルフカート、三輪車、牽引車、圧縮機、掘削機があります。

IX4351NE 9A低圧側SiC MOSFET & IGBTドライバ

IXYS統合回路IX4351NE低圧側SiC MOSFET & IGBTドライバには、独立した9Aソースおよびシンク出力があり、スイッチング損失を最小限に抑えながらカスタムターンON/ターンOFFのタイミングが可能になります。IX4351NEには、dV/dt耐性の向上と高速ターンONを目的とした選択可能な負のゲート駆動バイアスを実現している内部負の充電レギュレータが備わっています。