ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IXFA76N15T2-TRL

Name: IXYS IXFA76N15T2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA76N15T2-TRL
Price: 637 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXFA76N15T2-TRL

メーカ番号：

IXFA76N15T2-TRL

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET IXFA76N15T2 TRL

データシート:

IXFA76N15T2-TRL データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXFA76N15T2-TRLの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	76 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	22 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	97 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	350 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchT2
パッケージ化:	Reel
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	50 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	19 ns
シリーズ:	TrenchT2
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	25 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
単位重量:	4 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXFA76N15T2-TRL データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TrenchT2™標準/HiPerFETパワーMOSFET

Littelfuse TrenchT2™標準およびHiPerFET™パワーMOSFETは、拡張モード、シングルまたはデュアルチャネルMOSFETで、高い電流伝送性能（最大600A）を備えています。これらのデバイスは、ドレイン-ソース間のオン抵抗が小さいこと (3.5mΩ～22mΩ) およびゲート電荷が低く抑えられていること (25.5nC～178nC) が特長で、-55°C～+175°Cの広い動作温度範囲内で動作します。TrenchT2 MOSFETは、各種の小型パッケージでご用意があるため、低電圧で高い電流伝送性能を備えた電力変換システムに理想的です。