IXFN44N80Q3

Name: IXYS IXFN44N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN44N80Q3
Price: 10009 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXFN44N80Q3

メーカ番号：

IXFN44N80Q3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A

データシート:

IXFN44N80Q3 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXFN44N80Q3の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	37 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	165 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	780 W
シリーズ:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	300 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
単位重量:	30 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXFN44N80Q3 データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541900000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

商用・軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 商用および戦術用無人航空機（UAV）システムは、リチウムイオンバッテリ保護、バッテリ充電器、および電力分配用のソリューションを提供します。これらのシステムは、入力保護/過電流保護用のヒューズ、半導体スイッチング用のMOSFET、およびDC出力の過渡/サージ保護用のTVSダイオードを備えています。この商用および戦術用UAVシステムは、>60Vのバッテリ保護を提供し、メインパックの故障隔離、バッテリの切り離し/電源経路制御（プリチャージ対応）、および分岐回路の過電流保護機能を備えています。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、軍事・防衛、国境監視、農業、輸送・物流、点検、治安維持などが含まれます。

燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 燃料駆動/ハイブリッド軍用無人航空機（UAV）システムは、電力変換・DCバス、配電、充電器/地上電源用のソリューションを提供します。これらのシステムは、電力変換およびDCバス機能をサポートしており、ACライン電圧をDCに変換する整流ダイオードを搭載しています。燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAV（無人航空機）システムは、半導体スイッチ、サージ保護、整流用のTVSダイオード、ヒューズ、MOSFETを備えています。これらのシステムは、各種機能を網羅するAEC-Q/MIL規格（軍関連）製品を提供します。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、軍事・防衛、国境監視などが含まれます。

Q3-Class HiperFET™パワーMOSFET

IXYSQ3クラスHiperFET™パワーMOSFETは、卓越したパワースイッチング性能を持つ幅広いデバイスをエンドユーザーに提供します。また、優れた熱特性、強化されたデバイスの堅牢性、高エネルギー効率も備わっています。これらのMOSFETには、200V～1,000Vのドレイン－ソース間電圧定格および10A ～100Aのドレイン電流定格が備わっています。これらの特徴により、Q3クラスは、低オン状態抵抗（R_dson）とゲート電荷（Q_g）の最適化された組み合わせとなり、デバイスの伝導損失とスイッチング損失を大幅に低減します。パワースイッチング機能とデバイスの堅牢性は、HyperFETプロセスを活用することでさらに強化されています。このプロセスによって、高速真性整流器が生成され、デバイスの整流dv/dt定格（最大50V/ns）を強化しながら低逆回復電荷(Q_rr) を実現しています。

ドローン用サブシステム

Littelfuse ドローン用サブシステムは、USB-C PDおよびリチウムイオンバッテリチャージャ、バッテリパックシステム、BLDCモータ向けのソリューションです。これらのサブシステムは、AC入力過電流保護および地絡障害検出、バッテリおよび下流のコントローラ、パック、配線、コントローラの保護など、各種機能に必要なヒューズを備えています。本ドローンサブシステムは、一次側スイッチングの過渡現象抑制およびセルモニタICセンスライン入力の過電圧保護用のTVSダイオードを搭載しています。これらのサブシステムは、トイドローン、カメラドローン、FPV（ファーストパーソンビュー）ドローン、エンタープライズ、産業用、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、点検/マッピング、農業、および大型リフトなどの、さまざまなドローンに適しています。代表的なアプリケーションには、輸送/物流、治安維持、国境監視、軍事・防衛などが含まれます。

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .