メインコンテンツにスキップする

TTI スペシャリストファミリの一員マウザーへお問い合わせ 0120-954-990フィードバック

所在地の変更

0120-954-990 所在地の変更

在庫あり

RoHS

Macnica - Tech Info

ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

エラーが発生しましたか？

BSS123-R1-00001

Panjit

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

未設定

メーカ番号：

BSS123-R1-00001

メーカ：

Panjit

詳細：

MOSFET SOT23 100V .17A N-CH

データシート:

BSS123-R1-00001 データシート (PDF)

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	170 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	1.8 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	500 mW
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Panjit
構成:	Single
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	19 ns
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	8.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	3.4 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

BSS123-R1-00001 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

注目製品

PANJIT

50V Enhancement Mode MOSFETs

These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low R_DS(ON).

50V Enhancement Mode MOSFETs について

60V Automotive P-Channel MOSFETs

Advanced trench process technology minimizes R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

60V Automotive P-Channel MOSFETs について

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low R_DS(ON) and a high switching speed.

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs について

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET について

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs について

在庫状況

在庫：: 在庫なし、電話での見積もりを依頼

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。