STGWA40HP65FB2

STMicroelectronics
511-STGWA40HP65FB2
STGWA40HP65FB2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
72 A
227 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40HP65FB2
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 72 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1200
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.100 g
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT

STMicroelectronics 650V HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発されたIGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTは最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、および1.6V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
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在庫: 493

在庫：
493 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
22 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥671 ¥671
¥387 ¥3,870
¥277.4 ¥138,700
¥245.8 ¥294,960
¥239.2 ¥574,080
¥232.5 ¥1,395,000

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