STP26N60DM6

STMicroelectronics
511-STP26N60DM6
STP26N60DM6

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥863.7 ¥864
¥566.4 ¥5,664
¥390.3 ¥39,030
¥302.3 ¥151,150
¥289 ¥289,000
¥270.7 ¥541,400
¥267.4 ¥1,337,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
195 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 11 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 39 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷（Qg）、非常に低い回復電荷（Qrr）、低回復時間（trr）、優れたRDS(on)/エリアが備わっています。

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