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STW18NM80

Name: STMicroelectronics STW18NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW18NM80
Price: 1558 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STW18NM80

メーカ番号：

STW18NM80

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 800 V MDMesh

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データシート:

STW18NM80 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	17 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	295 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	70 nC
最低動作温度:	- 65 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	190 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	50 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	28 ns
シリーズ:	STW18NM80
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	96 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	18 ns
単位重量:	6 g

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選択した属性: 0

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データシート

STW18NM80 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: イタリア
組立原産国:: イタリア
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.