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IPP023NE7N3 G

Name: Infineon IPP023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP023NE7N3G
Price: 941 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPP023NE7N3G

メーカ番号：

IPP023NE7N3 G

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

データシート:

IPP023NE7N3 G データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	75 V
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.3 V
Qg - ゲート電荷:	206 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	300 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	22 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	98 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	26 ns
シリーズ:	OptiMOS 3
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	70 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns
別の部品番号:	SP000641722 IPP23NE7N3GXK IPP023NE7N3GXKSA1
単位重量:	2 g

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Product Catalogs

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: 中国
拡散国:: マレーシア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies (SMPS) are a cost-effective line that includes high voltage MOSFETs, control ICs, and Silicon Carbide diodes for PFC and PWM stages, as well as low voltage MOSFETs for synchronous rectification. With these SMPS products Infineon supports the trends towards continuously reducing power consumption. Especially versatile is the new CoolMOS™ 600V C6 family which combines good efficiency with attractive pricing, as does our 3rd generation SiC diodes. For synchronous rectification the OptiMOS™ 3 series offers extremely low on-state resistance and low capacitances. Infineon's new control ICs support topologies such as quasi-resonant flyback and LLC.

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.