1ED3491MU12MXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED3491MU12MXUMA
1ED3491MU12MXUMA1

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ ISOLATED DRIVER

データシート:
ECADモデル:
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工場リードタイム：
29
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥878.4 ¥878
¥672 ¥6,720
¥620.8 ¥15,520
¥563.2 ¥56,320
¥536 ¥134,000
¥520 ¥260,000
完全リール（1000の倍数で注文）
¥492.8 ¥492,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9 A
3 V
25 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Enhanced X3 analog
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
トレードネーム: EiceDRIVER
別の部品番号: 1ED3491MU12M SP005350853
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™拡張 X3 アナログ ファミリ

Infineon TechnologiesEiceDRIVER™拡張 X3アナログファミリは、外部抵抗器(ADJA および ADJB ピン) を介して、DESAT(調整可能なフィルター時間) およびソフトオフ (調整可能な電流) の抵抗構成可能性を提供します。Infineon1ED34xxシングル チャネル絶縁型ドライバは、8mm沿面距離を備えた省スペースのDSO-16ファインピッチ ワイド ボディパッケージで、最大9A出力電流と40V最大出力電源電圧を備えています。拡張 X3アナログファミリは、1分の VIso =5.7kVRMS およびVDE 0884-11（強化絶縁）VIORM =1767Vとして、UL1577に従って認定されています。

工業用駆動

Infineon産業用ドライブは、モータドライブ用に最適化された効率的な半導体の幅広いポートフォリオを提供します。設計者は、Infineonインテリジェントパワーモジュール（IPM）および低消費電力範囲でのスマート設計を目的としたディスクリートに依存できます。中電力ドライブを対象としたInfineon EasyPIM™、EasyPACK™、EconoPIM™モジュールは、完璧なマッチングです。ハイパワー・スペクトルに移行すると、EconoDUAL™とPrimePACK™が選択できます。革新的な.XT相互接続技術と組み合わされています。PrimePACKモジュールは、熱および電力サイクル機能を向上させることで、寿命を延長することで、設計者がオーバー評価の問題を克服するのに役立ちます。

EiceDRIVER Enhanced 絶縁ゲートドライバIC

EiceDRIVER™ Enhanced 絶縁ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET向けに、DESAT、ミラークランプ、ソフトオフなどの保護機能を提供します。これらの絶縁ドライバは、同社のコアレストランス（CT）技術に基づいており、300kV/μsという世界最高水準のコモンモード過渡イミュニティ（CMTI）を実現しています。ミラークランプと正確な短絡保護機能（DESAT）により、CoolSiC™ SiC MOSFETおよびTRENCHSTOP™ IGBT7の駆動時の寄生ターンオンと短絡を回避し、優れたアプリケーションの安全性を実現しています。EiceDRIVER™ 絶縁ドライバは、最大9Aの駆動能力を備えており、ブースターソリューションは時代遅れなものになります。これらのシングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICは、X3アナログファミリ（1ED34xx）およびX3デジタルファミリのゲートドライバICとして提供されています。1ED34xxおよび1ED38xx ゲートドライバICは、9Aの出力電流と40Vmax の出力電圧を提供し、沿面距離8mmの省スペースなDS0-16ファインピッチワイドボディパッケージを採用しています。これらのICは、短絡クランプとアクティブシャットダウンを備えており、1500V DC ソーラーインバータアプリケーションに最高の絶縁能力を提供します。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

1チャンネルMOSFETゲートドライバIC

Infineon 1チャンネルMOSFETゲートドライバICは、制御ICとパワフルなMOSFETおよびGaNスイッチングデバイスとの間の重要なリンクです。ゲートドライバICは、高いシステムレベル効率、優れた電力密度、一貫したシステム堅牢性を可能にします。
詳細

絶縁ゲートドライバ

Infineon 絶縁型ゲートドライバは、磁気結合コアレストランス（CT）技術を使用し、ガルバニック絶縁をまたいで信号伝送を行います。これらのドライバは、機能的な基本、強化絶縁、UL 1577、VDE 0884認定製品を提供します。この絶縁により、非常に大きな電圧振幅（例 ±1200V）が可能になります。これらの絶縁型ドライバには、MOSFET、IGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT駆動用の最も重要な主要機能とパラメータが組み込まれています。

DC急速EV充電ソリューション

Infineon TechnologiesのDC急速EV充電ソリューションは、e-モビリティのニーズに対応します。電気自動車の市場の台数が増え続け、2050 年までに自動車の二酸化炭素排出量をゼロするという政府からの圧力がある中、より効率的な充電ソリューションが求められています。消費者調査が示すように、エレクトロモビリティの普及は、充電プロセスの可用性と時間によって決まります。高出力直流充電ステーションは、このような市場の要求に応えるものです。すでに今日、標準的な電気自動車は、10分以内にバッテリ容量の約80％を充電することができます。これは、内燃機関による従来の自動車の給油に匹敵します。Infineonは、エネルギー効率に優れたDC急速EV充電の設計の実現を支援します。電力変換、マイクロコントローラ、セキュリティ、補助電源、通信など、全製品領域を網羅し、包括的ですぐに実装可能な製品・設計ポートフォリオをご用意しています。

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