AS1C4M16PL-70BINTR

Name: Alliance Memory AS1C4M16PL-70BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS1C4M16PL70BINT
Price: 975 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

913-AS1C4M16PL70BINT

メーカ番号：

AS1C4M16PL-70BINTR

メーカ：

Alliance Memory

詳細：

DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT

データシート:

AS1C4M16PL-70BINTR データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Alliance Memory
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
メモリサイズ:	64 Mbit
データバス幅:	16 bit
最高クロック周波数:	133 MHz
パッケージ/ケース:	FBGA-49
編成:	4 M x 16
アクセス時間:	70 ns
供給電圧 - 最小:	1.7 V
供給電圧 - 最大:	1.95 V
最低動作温度:	- 30 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	AS1C4M16PL-70
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Alliance Memory
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	25 mA

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データシート

AS1C4M16PL-70BINTR データシート (PDF)

コンプライアンスコード

USHTS:: 8542320041
ECCN:: 3A991.b.2.a

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Pseudo SRAM

Alliance Memory Pseudo SRAM uses DRAM-type memory cells and has a refresh-free operation and extreme low power consumption technology. The interface is compatible to a low-power Asynchronous type SRAM. These devices are variations of the industry-standard Flash control interface with a multiplexed address/data bus. The multiplexed address and data functionality dramatically reduces the required signal count and increases read/write bandwidth.