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AT25PE80-MHN-Y

Name: Renesas Electronics AT25PE80-MHN-Y
Brand: Renesas / Dialog
SKU: 988-AT25PE80-MHN-Y
Price: 431 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

988-AT25PE80-MHN-Y

メーカ番号：

AT25PE80-MHN-Y

メーカ：

Renesas / Dialog

詳細：

NORフラッシュ 8 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement)

データシート:

AT25PE80-MHN-Y データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Renesas Electronics
製品カテゴリー:	NORフラッシュ
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	UDFN-8
シリーズ:	AT25PE80
メモリサイズ:	8 Mbit
供給電圧 - 最小:	1.7 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
アクティブ電流 - 最大読み取り値:	16 mA
インタフェースタイプ:	SPI
最高クロック周波数:	85 MHz
編成:	1 M x 8
データバス幅:	8 bit
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Renesas / Dialog
製品タイプ:	NOR Flash
速度:	85 MHz
工場パックの数量:	570
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

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AT25PE80-MHN-Y データシート

RoHS Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

AT25PE80 Series Serial Flash Memory

Renesas / Dialog AT25PE80 Series 8-Mbit DataFlash-L Page Erase Serial Flash Memory is a 1.7V minimum, serial-interface sequential access flash memory. This AT25PE80 Series memory device features 8,650,752 bits of memory organized as 4,096 pages of 256 bytes or 264 bytes each. The AT25PE80 series operates from a single 1.7V to 3.6V power supply for the erase, program, and read operations. The AT25PE80 series flash memory contains two SRAM buffers of 256 or 264 bytes each in addition to the main memory. These SRAM buffers can be used as additional system scratchpad memory. The AT25PE80 series is ideally suited for a wide variety of digital voice, image, program code, and data storage applications.

25PE Dataflash-L Serial Flash Memory

Renesas / Dialog 25PE Dataflash-L Serial Flash Memories are low pin count, wide voltage range, ultra-low power, and page erase sequential access memories. These Adesto Technologies memory chips enable energy-efficient, lower-cost systems through advanced command-rich interface and granular architecture. The 25PE Dataflash-L memories reduce CPU/MCU overheads, reduce the power signature, and extend battery life. These flash memories support RapidS^™ serial interface for applications requiring a high-speed operation. The 25PE flash memories use simple sequential access to simplify hardware layout, increase system reliability, minimize switching noise, and reduce package size. These memory chips are enabled through the Chip Select (CS) pin and are accessed via a 3-wire interface consisting of the Serial Input (SI), Serial Output (SO), and the Serial Clock (SCK).

DataFlash™ SPI Memory

Renesas / Dialog DataFlash™ SPI Memory devices are feature-rich, page-erase (as small as 256 bytes) SPI-compatible Serial Flash with advanced protection and security features. These devices provide developers with the most flexible, easy-to-use Serial Flash solution on the market to address virtually any application. Dual-I/O and Quad-I/O interface options provide the ability to double and quadruple read throughputs. The DataFlash SPI Memory devices provide system developers with an extremely flexible solution by utilizing a page-erase architecture to allow the smallest amount of data (as little as 256 bytes) to be erased compared to any other Flash solution.