BSM180D12P3C007

ROHM Semiconductor
755-BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

データシート:
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¥90,100.8 ¥1,081,210

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
180 A
- 4 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
880 W
BSMx
Tray
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Dual
下降時間: 50 ns
高さ: 21.1 mm
長さ: 122 mm
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 70 ns
工場パックの数量: 12
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
タイプ: SiC Power Module
標準電源切断遅延時間: 165 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 50 ns
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 1.2 kV
幅: 45.6 mm
単位重量: 302.171 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8504901900
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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SiC Power Modulesパワーモジュール

ROHM Semiconductor SiCパワーモジュールは、SiC MOSFETおよびSiC SBDをシングル段に統合するハーフブリッジSiCモジュールです。これらのROHM SiCモジュールは、スイッチング損失の低減を通して高周波数を実現しています。

ROHMは、市場に出回っているモジュールと比較して、漂遊インダクタンスを削減するためにパワーモジュールを最適化します。過度の発熱を防止するため、Etypeモジュールが追加のサーミスタを内部に統合しています。
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