BSM250D17P2E004

ROHM Semiconductor
755-BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

データシート:
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製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.7 kV
250 A
- 6 V, + 22 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
1.8 kW
BSMx
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Dual
下降時間: 70 ns
高さ: 15.4 mm
長さ: 152 mm
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 55 ns
工場パックの数量: 4
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
タイプ: SiC Power Module
標準電源切断遅延時間: 195 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 55 ns
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 1.2 kV
幅: 62 mm
単位重量: 431 g
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選択した属性: 0

データシート

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Specification Sheets

Test/Quality Data

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JPHTS:
854159000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541590000
MXHTS:
8541500100
ECCN:
EAR99

SiC Power Modulesパワーモジュール

ROHM Semiconductor SiCパワーモジュールは、SiC MOSFETおよびSiC SBDをシングル段に統合するハーフブリッジSiCモジュールです。これらのROHM SiCモジュールは、スイッチング損失の低減を通して高周波数を実現しています。

ROHMは、市場に出回っているモジュールと比較して、漂遊インダクタンスを削減するためにパワーモジュールを最適化します。過度の発熱を防止するため、Etypeモジュールが追加のサーミスタを内部に統合しています。
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