BST47T1P4K01-VC

ROHM Semiconductor
755-BST47T1P4K01-VC
BST47T1P4K01-VC

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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¥14,331 ¥14,331
¥11,842 ¥118,420
¥10,740.1 ¥1,288,812

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
SiC
HSDIP-20
N-Channel
6 Channel
750 V
47 A
37 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
227 W
Bulk
ブランド: ROHM Semiconductor
下降時間: 15 ns
製品: Power Module
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 23 ns
工場パックの数量: 60
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: EcoSiC
標準電源切断遅延時間: 103 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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コンプライアンスコード
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
タイ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

高密度SiCパワーモジュール

ROHM Semiconductor 高密度シリコンカーバイド (SiC) パワーモジュールは、車載および産業用アプリケーションでの高効率な電力変換をサポートするように設計されています。TRCDRIVEパック™、HSDIP20、DOT-247などの複数のパッケージ・プラットフォームがラインナップされており、それぞれ異なる電力等級やシステム要件に最適化されています。これらのパッケージは、SiC MOSFETをコンパクトなモジュール構造に統合し、ハイパワー密度、安定したスイッチング性能、効率的な熱管理を実現します。パッケージに応じて、2-in-1、4-in-1、6-in-1といった構成を利用可能で、広範な電力変換およびモータ駆動アプリケーションに柔軟性を与えます。

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