C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 2121 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

941-C3M0032120K

メーカ番号：

C3M0032120K

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

データシート:

C3M0032120K データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	63 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	32 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	118 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	283 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Wolfspeed
構成:	Single
下降時間:	9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	27 S
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	32 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns
単位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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