C3M0900170D

Wolfspeed
941-C3M0900170D
C3M0900170D

メーカ:

詳細:
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1700 V
4.4 A
1.25 Ohms
- 8 V, + 20 V
4.2 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
ブランド: Wolfspeed
構成: Single
下降時間: 43 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 1 S
製品: Power MOSFET
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 18 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ極性: N-Channel
トランジスタ タイプ: 1N-Channel
タイプ: Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 19 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 23 ns
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1700Vディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFET

Wolfspeed 1700Vディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、高電圧電力変換システムにおいて卓越した効率、電力密度、信頼性を提供するように設計されています。高度なSiC技術を活用することで、従来のシリコンベースデバイスと比較し、高速スイッチング、高動作周波数、低電力損失を実現します。その結果、冷却要件が削減され、システム全体のコストが低減された、より小型で軽量、かつ効率的なシステム設計を実現しています。12V~15Vのゲートドライブ動作、低静電容量、高耐圧電圧能力を備えており、要求の厳しい産業とエネルギー向けのアプリケーションで堅牢な性能を発揮します。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

在庫: 1,320

在庫:
1,320
すぐに出荷可能
取寄中:
900
予想2026/12/07
工場リードタイム:
14
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,011.5 ¥1,012
¥609.6 ¥6,096
¥480 ¥57,600
¥403.6 ¥205,836
¥368.7 ¥929,124
¥350.5 ¥1,756,005