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DIF120SIC022-AQ

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC022-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC022-AQ
Price: 11022 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

637-DIF120SIC022-AQ

メーカ番号：

DIF120SIC022-AQ

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive

データシート:

DIF120SIC022-AQ データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	22.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	269 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	340 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	DIF120SIC022-AQ
ブランド:	Diotec Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	35 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	38 ns
シリーズ:	SIC120
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	108 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	150 ns

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データシート

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.