DIW065SIC080

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC080
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC080
Price: 1735 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

637-DIW065SIC080

メーカ番号：

DIW065SIC080

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET

データシート:

DIW065SIC080 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	36 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	80 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	75 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	175 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	DIW065SIC080
ブランド:	Diotec Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	3.5 S
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	13 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.