DMG1012T-7

Name: Diodes Incorporated DMG1012T-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG1012T-7
Price: 43 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

621-DMG1012T-7

メーカ番号：

DMG1012T-7

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523

データシート:

DMG1012T-7 データシート (PDF)

ECADモデル:

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Diodes Incorporated DMG1012T-7の詳細を読む

在庫: 324,192

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥43.2	¥43
	¥42.2	¥422
	¥41.4	¥4,140
	¥27.5	¥13,750
	¥21.8	¥21,800
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥17.9	¥53,700
	¥15.5	¥93,000
	¥13.6	¥122,400
	¥12	¥288,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-523-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	630 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	400 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, 6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	500 mV
Qg - ゲート電荷:	736.6 pC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	280 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
下降時間:	12.3 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.4 ns
シリーズ:	DMG1012
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	26.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.1 ns
単位重量:	2 mg

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選択した属性: 0

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データシート

DMG1012T-7 データシート (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.