ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

DMN2990UFZ-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2990UFZ-7B
Price: 88 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

621-DMN2990UFZ-7B

メーカ番号：

DMN2990UFZ-7B

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

MOSFET 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

データシート:

DMN2990UFZ-7B データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7Bの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	X2-DFN0606-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	250 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	990 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	1 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	320 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
下降時間:	7.7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	180 mS
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	2.1 ns
シリーズ:	DMN2990
工場パックの数量:	10000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	3.5 ns
単位重量:	1 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

DMN2990UFZ-7B データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.