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DMTH6010LPSQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6010LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6010LPSQ-13
Price: 259 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

621-DMTH6010LPSQ-13

メーカ番号：

DMTH6010LPSQ-13

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

データシート:

DMTH6010LPSQ-13 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 2,729

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥259.2	¥259
	¥204.8	¥2,048
	¥138.1	¥13,810
	¥111.7	¥55,850
	¥103.5	¥103,500
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥90.6	¥226,500
	¥86.1	¥430,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerDI5060-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	13.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	41.3 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	136 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
下降時間:	9.7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4.3 ns
シリーズ:	DMTH6010
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	23.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.7 ns
単位重量:	96 mg

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選択した属性: 0

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データシート

DMTH6010LPSQ-13 データシート (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFETは、Nチャンネル拡張モードMOSFETで、低オン抵抗と高速スイッチングが備わっています。また、これらのMOSFETは、車載アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。Diodes Incorporated DMTx MOSFETは、高効率電力管理アプリケーションに最適です。

DMTH601xLPSQ NチャンネルエンハンストモードMOSFET

Diodes Inc. DMP3130LQ PチャンネルエンハンストモードMOSFETは、車載アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。DMTH601xLPSQ MOSFETは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAP（生産部品承認プロセス）でに対応しているため、エンジン管理システム、ボディコントロールエレクトロニクスおよびDC/DCコンバータででの使用に理想的です。DMTH601xLPSQ MOSFETには、低R_DS(ON)、低入力容量、高速スイッチング速度が備わっています。Diodes IncorporatedのユニークなPOWERDI ^®5060パッケージでて供され、DMTH601xLPSQ MOSFETは、定格～+175ºCとオフボードの高さが<1.1mmです。これによって、DMTH601xLPSQ MOSFETは、高温環境および薄型アプリケーションによく適しています。

ゲートドライバ

Diodes Incorporatedゲート・ドライバは、電力システムおよびモータ駆動における多数のアプリケーションをカバーしています。これらのゲート・ドライバは、マイクロコントローラとIGBTまたはMOSFET電源との間のインターフェイスとして機能します。このゲート・ドライバは、シュート・スルーを制御しながら、最適な駆動特性を実現しています。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.