E4MS025120U2-TR

Name: Wolfspeed E4MS025120U2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS025120U2-TR
Price: 2368 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

941-E4MS025120U2-TR

メーカ番号：

E4MS025120U2-TR

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mO,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4

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E4MS025120U2-TR データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263-7XL
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	82 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	33 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.6 V
Qg - ゲート電荷:	125 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	350 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	Wolfspeed
構成:	Single
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	28 S
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	4 ns
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	36 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns

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データシート

E4MS025120U2-TR データシート (PDF)

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V E4MS ディスクリートSiC MOSFET

Wolfspeed 1200V E4MS ディスクリート炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、オンボード車載アプリケーションで比類のない性能を発揮します。E4MSファミリは、オーバーシュートやリンギングを最小限に抑えながら高速スイッチングを可能にする、高速でソフトなボディダイオードを採用しています。これにより、エンジニアがアプリケーションで性能を調整・最適化するための設計の自由度が広がります。E4MSファミリは、E3Mファミリデバイスと比較してEo_n、E_RR、E_off損失を改善すると同時に、R _DS（on）の低温度係数を維持します。このバランスのとれたアプローチによって幅広いオンボードトポロジにおいて、最大の性能と効率を実現します。