FFSH2065BDN-F085

Name: onsemi FFSH2065BDN-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH2065BDN-F085
Price: 1513 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-FFSH2065BDN-F085

メーカ番号：

FFSH2065BDN-F085

メーカ：

onsemi

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 650V 20A SIC SBD

データシート:

FFSH2065BDN-F085 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
構成:	Dual Anode Common Cathode
If - 順電流（Forward Current）:	20 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.38 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	42 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	40 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FFSH2065BDN_F085
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
Pd - 電力損失:	65 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
単位重量:	5.457 g

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データシート

FFSH2065BDN-F085 データシート

PCN

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSPx065BDN-F085車載用SiCショットキーダイオード

onsemi FFSPx065BDN-F085車載用シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコン（Si）よりむしろ炭化ケイ素の利点を活用するように設計されているAEC-Q101認定デバイスです。FFSPx065BDN-F085 SiCショットキーダイオードは、大幅に高い順方向サージ能力、低い逆漏洩が特徴で、逆回復電流がありません。また、これらのSiCショットキーダイオードには、温度の影響を受けないスイッチングおよび優れた熱性能も備わっていますこの結果、システム効率の向上、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減がもたらされました。

ワイドバンドギャップSiCデバイス

onsemiワイドバンドギャップ（WBG）シリコンカーバイドには、まったく新しいテクノロジが組み込まれており、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。onsemiのSiCポートフォリオには、650Vおよび1200Vダイオード、650Vおよび1200V IGBTとSiCダイオードパワー統合モジュール（PIM）、1200V MOSFETとSiC MOSFETドライバが搭載されており、AEC-Q100の認定を受けています。

D2 EliteSiCダイオード

onsemi D2 EliteSiC ダイオードは、650Vの定格電圧を必要とする用途向けに設計された高性能ダイオードです。onsemi D2 には、DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3など、さまざまなパッケージがあります。これらのダイオードには、低容量電荷 (QC) が備わっており、低順方向電圧の高速スイッチング用に最適化されています。これらの機能によってこのダイオードは力率補正（PFC）および出力整流アプリケーションに最適です。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。