FFSH4065BDN-F085

onsemi
863-FFSH4065BDN-F085
FFSH4065BDN-F085

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード 650V

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 675

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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,207 ¥2,207
¥1,269.8 ¥12,698
¥1,247 ¥149,640

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
40 A
650 V
1.38 V
84 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH4065BDN-F085
AEC-Q101
Tube
ブランド: onsemi
Pd - 電力損失: 127 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

FFSPx065BDN-F085車載用SiCショットキーダイオード

onsemi FFSPx065BDN-F085車載用シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコン（Si）よりむしろ炭化ケイ素の利点を活用するように設計されているAEC-Q101認定デバイスです。FFSPx065BDN-F085 SiCショットキーダイオードは、大幅に高い順方向サージ能力、低い逆漏洩が特徴で、逆回復電流がありません。また、これらのSiCショットキーダイオードには、温度の影響を受けないスイッチングおよび優れた熱性能も備わっています この結果、システム効率の向上、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減がもたらされました。

D2 EliteSiCダイオード

onsemi D2 EliteSiC ダイオードは、650Vの定格電圧を必要とする用途向けに設計された高性能ダイオードです。onsemi D2 には、DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3など、さまざまなパッケージがあります。これらのダイオードには、低容量電荷 (QC) が備わっており、低順方向電圧の高速スイッチング用に最適化されています。これらの機能によってこのダイオードは力率補正（PFC）および出力整流アプリケーションに最適です。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

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