FFSP1265A

Name: onsemi FFSP1265A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1265A
Price: 664 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-FFSP1265A

メーカ番号：

FFSP1265A

メーカ：

onsemi

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 650V 12A SIC SBD

データシート:

FFSP1265A データシート

ECADモデル:

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10,000	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	12 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	70 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	200 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FFSP1265A
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
Pd - 電力損失:	115 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
単位重量:	2 g

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データシート

FFSP1265A データシート

PCN

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

FFSP SiCショットキーダイオード

onsemi FFSP SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオードは、シリコン（Si）専用デバイスにシリコンカーバイドを活用するように設計されています。FFSP SiCショットキーダイオードは、大幅に高い順方向サージ能力、低い逆漏洩が特徴で、逆回復電流がありません。また、これらのSiCショットキーダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性および優れた熱性能も特徴です。この結果、システム効率の向上、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減がもたらされました。

ワイドバンドギャップSiCデバイス

onsemiワイドバンドギャップ（WBG）シリコンカーバイドには、まったく新しいテクノロジが組み込まれており、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。onsemiのSiCポートフォリオには、650Vおよび1200Vダイオード、650Vおよび1200V IGBTとSiCダイオードパワー統合モジュール（PIM）、1200V MOSFETとSiC MOSFETドライバが搭載されており、AEC-Q100の認定を受けています。

シリコンカーバイドショットキーダイオード

onsemiシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットには、高効率、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、およびシステムのサイズとコストの削減があります。onsemiは、650Vおよび1200Vデバイスをさまざまな電流ならびにパッケージ・オプションで提供しており、次世代パワーシステム設計に最適です。

D1 EliteSiCダイオード

Onsemi D1 EliteSiCダイオードは、最新のパワーエレクトロニクス・アプリケーション向けに設計された、高性能で汎用性の高いソリューションです。Onsemi D1 の定格電圧は650V、1,200V、1,700Vです。これらのダイオードには柔軟性があり、さまざまな設計要件に適合します。D1 EliteSiCダイオードにはさまざまなパッケージがあります。設計者は、D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3などからパッケージを選択して基板スペースと熱性能を最適化できます。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。