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FFSP3065A

Name: onsemi FFSP3065A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP3065A
Price: 1534 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

512-FFSP3065A

メーカ番号：

FFSP3065A

メーカ：

onsemi

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 650V SiC SBD 30A

データシート:

FFSP3065A データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 85

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数量	ユニット価格	合計額
	¥1,534.8	¥1,535
	¥1,089.6	¥10,896
	¥828.8	¥82,880
	¥785.7	¥392,850

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	30 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	150 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	200 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FFSP3065A
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
Pd - 電力損失:	240 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
単位重量:	2.160 g

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データシート

FFSP3065A データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

D1 EliteSiCダイオード

Onsemi D1 EliteSiCダイオードは、最新のパワーエレクトロニクス・アプリケーション向けに設計された、高性能で汎用性の高いソリューションです。Onsemi D1 の定格電圧は650V、1,200V、1,700Vです。これらのダイオードには柔軟性があり、さまざまな設計要件に適合します。D1 EliteSiCダイオードにはさまざまなパッケージがあります。設計者は、D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3などからパッケージを選択して基板スペースと熱性能を最適化できます。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

エネルギーインフラ用ソリューション

onsemiのソリューションは、政府の政策と消費量の増加によって急速に進化を遂げているエネルギーの生成、流通、貯蔵の現状に対処するエネルギーインフラを対象としています。効率目標の向上、CO2排出量の削減、再生可能エネルギーとクリーンエネルギーへの注目は、このエネルギーインフラ進化の主要な要素です。onsemiは、エネルギー効率の高いソリューションの包括的なポートフォリオを提供しており、シリコンカーバイド（SiC）ダイオード、インテリジェント・パワー・モジュール、電流センスアンプといったハイパワー・アプリケーションのニーズに対処できます。

FFSP SiCショットキーダイオード

onsemi FFSP SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオードは、シリコン（Si）専用デバイスにシリコンカーバイドを活用するように設計されています。FFSP SiCショットキーダイオードは、大幅に高い順方向サージ能力、低い逆漏洩が特徴で、逆回復電流がありません。また、これらのSiCショットキーダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性および優れた熱性能も特徴です。この結果、システム効率の向上、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減がもたらされました。

シリコンカーバイドショットキーダイオード

onsemiシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットには、高効率、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、およびシステムのサイズとコストの削減があります。onsemiは、650Vおよび1200Vデバイスをさまざまな電流ならびにパッケージ・オプションで提供しており、次世代パワーシステム設計に最適です。

ワイドバンドギャップSiCデバイス

onsemiワイドバンドギャップ（WBG）シリコンカーバイドには、まったく新しいテクノロジが組み込まれており、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。onsemiのSiCポートフォリオには、650Vおよび1200Vダイオード、650Vおよび1200V IGBTとSiCダイオードパワー統合モジュール（PIM）、1200V MOSFETとSiC MOSFETドライバが搭載されており、AEC-Q100の認定を受けています。