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FS03M1R12A7MA2BHPSA1

Name: Infineon FS03M1R12A7MA2BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS03M1R12A7MA2BH
Price: 111182 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

726-FS03M1R12A7MA2BH

メーカ番号：

FS03M1R12A7MA2BHPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT モジュール HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

ライフサイクル:

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FS03M1R12A7MA2BHPSA1 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT モジュール
RoHS:
製品:	IGBT Module
Pd - 電力損失:	2.65 MW
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 185 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
取り付け様式:	Press Fit
製品タイプ:	IGBT Modules
シリーズ:	HybridPACK
工場パックの数量:	6
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
技術:	SiC
トレードネーム:	CoolSiC
別の部品番号:	FS03M1R12A7MA2B SP006157546

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データシート

FS03M1R12A7MA2BHPSA1 データシート (PDF)

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000

HybridPACK™ Drive G2モジュール

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2モジュールは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途向けに設計されたコンパクトなパワーモジュールです。Infineon Technologies G2モジュールは、同じモジュールサイズを維持しつつSiまたはSiC技術を使用して性能レベルを拡張できるだけでなく、さまざまなチップセットセットに対応しています。2017年、シリコンEDT2技術が登場し、実際の運転での効率性が最適化されました。2021年、CoolSiC™バージョンを投入し、より高いセル密度と優れた性能を実現しました。2023年、750Vおよび1200Vクラスで出力が最大300kWの性能を誇るHybridPACK Drive G2（第2世代）を発表し、EDT3（Si IGBT）およびCoolSiC™ G2 MOSFET技術を搭載し、使い勝手の良さとセンサの統合オプションを実現しています。