FS410R12A7P1BHPSA1

Infineon Technologies
726-FS410R12A7P1BHPS
FS410R12A7P1BHPSA1

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール HybridPACK Drive G2 module

ライフサイクル:
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¥64,948.8 ¥779,386

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
Screw Mount
HybridPACK
N-Channel
- 40 C
+ 175 C
775 W
Tray
ブランド: Infineon Technologies
下降時間: 77 ns
製品: MOSFET Modules
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 46 ns
工場パックの数量: 6
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
標準電源切断遅延時間: 466 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 107 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）: 1.68 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 1.2 kV
別の部品番号: FS410R12A7P1B SP005675819
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HybridPACK™ Drive G2モジュール

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2モジュールは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途向けに設計されたコンパクトなパワーモジュールです。Infineon Technologies G2（第2世代）モジュールは、同じモジュールサイズを維持しつつSiまたはSiC技術を使用して性能レベルを拡張できるだけでなく、さまざまなチップセットセットに対応しています。2017年に、シリコンEDT2技術を用いたG1が登場し、実際の運転での効率性が最適化されました。2021年、CoolSiC™ バージョンを投入し、より高いセル密度と優れた性能を実現しました。2023年、750Vおよび1200Vクラスで出力が最大300kWの性能を誇るHybridPACK Drive G2 (第2世代) を発表しました。EDT3 (Si IGBT) およびCoolSiC™ G2 MOSFET技術を搭載し、使い勝手の良さとセンサの統合オプションを実現しています。

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