GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 32673 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

148-GCMX005A120S3B1N

メーカ番号：

GCMX005A120S3B1-N

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

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GCMX005A120S3B1-N データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	S3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	424 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.531 kW
シリーズ:	GCMX
パッケージ化:	Bulk
ブランド:	SemiQ
下降時間:	24 ns
高さ:	30.9 mm
長さ:	106.4 mm
製品:	Modules
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	15
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Half Bridge Module
標準電源切断遅延時間:	114 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	65 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	4 V
幅:	61.4 mm

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データシート

GCMX005A120S3B1-N データシート (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュール

SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュールは、低スイッチング損失、低接合部対ケース熱抵抗、非常に頑丈で簡単な取付を可能にします。これらのモジュールは、ヒートシンク（絶縁パッケージ）を直接取り付け、安定した動作のためのKelvinリファレンスを含みます。すべての部品は、1,350V以上の電圧に耐えうるよう厳格にテストされています。これらのモジュールの際立った特徴は、堅牢な1,200Vドレイン－ソース間電圧です。GCMXハーフブリッジモジュールは、175°Cの接合部温度で動作し、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、太陽光発電インバータ、バッテリ充電器、エネルギー貯蔵システム、高電圧DC-DCコンバータがあります。

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).