GCMX005A120S7B1

SemiQ
148-GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
SemiQ
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Screw Mount
N-Channel
1.2 kV
348 A
4.9 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.042 kW
GCMX
Reel
Cut Tape
ブランド: SemiQ
下降時間: 25 ns
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 20 ns
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
タイプ: Half-Bridge
標準電源切断遅延時間: 96 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 61 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジ モジュール

SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュールは、低スイッチング損失、低接合部対ケース熱抵抗、非常に頑丈で簡単な取付を可能にします。これらのモジュールは、ヒートシンク（絶縁パッケージ）を直接取り付け、安定した動作のためのKelvinリファレンスを含みます。すべての部品は、1,350V以上の電圧に耐えうるよう厳格にテストされています。これらのモジュールの際立った特徴は、堅牢な1,200Vドレイン－ソース間電圧です。GCMXハーフブリッジモジュールは、175°Cの接合部温度で動作し、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、太陽光発電インバータ、バッテリ充電器、エネルギー貯蔵システム、高電圧DC-DCコンバータがあります。

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