GCMX010A120B3B1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3B1P
Price: 14729 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

148-GCMX010A120B3B1P

メーカ番号：

GCMX010A120B3B1P

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module

データシート:

GCMX010A120B3B1P データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥12,257.6	¥122,576
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	173 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	577 W
シリーズ:	GCMX
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	SemiQ
下降時間:	28 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	17 ns
工場パックの数量:	40
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Half-Bridge
標準電源切断遅延時間:	86 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	43 ns

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データシート

GCMX010A120B3B1P データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュール

SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュールは、低スイッチング損失、低接合部対ケース熱抵抗、非常に頑丈で簡単な取付を可能にします。これらのモジュールは、ヒートシンク（絶縁パッケージ）を直接取り付け、安定した動作のためのKelvinリファレンスを含みます。すべての部品は、1,350V以上の電圧に耐えうるよう厳格にテストされています。これらのモジュールの際立った特徴は、堅牢な1,200Vドレイン－ソース間電圧です。GCMXハーフブリッジモジュールは、175°Cの接合部温度で動作し、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、太陽光発電インバータ、バッテリ充電器、エネルギー貯蔵システム、高電圧DC-DCコンバータがあります。