GCMX020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020B120S1-E1
Price: 5088 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

148-GCMX020B120S1-E1

メーカ番号：

GCMX020B120S1-E1

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

ECADモデル:

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	¥5,088	¥5,088
	¥3,745.6	¥37,456
	¥3,251.2	¥390,144

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	113 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	28 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	395 W
シリーズ:	GCMX
パッケージ化:	Tube
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	18 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	8 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	SiC MOSFET Power Module
標準電源切断遅延時間:	42 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	21 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	3.7 V

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