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GCMX020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020B120S1-E1
Price: 6916 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

148-GCMX020B120S1-E1

メーカ番号：

GCMX020B120S1-E1

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	113 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	28 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	395 W
シリーズ:	GCMX
パッケージ化:	Tube
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	18 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	8 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	SiC MOSFET Power Module
標準電源切断遅延時間:	42 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	21 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	3.7 V

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選択した属性: 0

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.