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GE04MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06Q-TR
Price: 166 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

905-GE04MPS06Q-TR

メーカ番号：

GE04MPS06Q-TR

メーカ：

GeneSiC Semiconductor

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

ライフサイクル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Navitas Semiconductor
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-8
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	4 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.25 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	22 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	1 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	SiC Schottky MPS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	GeneSiC Semiconductor
Pd - 電力損失:	101 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.