GE08MPS06Q-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE08MPS06Q-TR
GE08MPS06Q-TR

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

データシート:
ECADモデル:
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Navitas Semiconductor
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-8
Single
8 A
650 V
1.25 V
44 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
ブランド: GeneSiC Semiconductor
Pd - 電力損失: 161 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
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データシート

PCN

コンプライアンスコード
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

在庫: 3,000

在庫：
3,000 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
22 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥378.7 ¥379
¥340.5 ¥3,405
¥325.6 ¥8,140
¥302.3 ¥30,230
¥292.3 ¥73,075
¥289 ¥144,500
完全リール（3000の倍数で注文）
¥270.7 ¥812,100
¥264.1 ¥1,584,600

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