GP2T040A120U

Name: SemiQ GP2T040A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120U
Price: 2637 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

148-GP2T040A120U

メーカ番号：

GP2T040A120U

メーカ：

SemiQ

詳細：

SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L

データシート:

GP2T040A120U データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	63 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	37 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	118 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	322 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	16 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	GP2T040A120
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns

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データシート

GP2T040A120U データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.