HAS310M17BM3

Name: Wolfspeed HAS310M17BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS310M17BM3
Price: 166633 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

941-HAS310M17BM3

メーカ番号：

HAS310M17BM3

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

ディスクリート半導体モジュール SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

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HAS310M17BM3 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
RoHS:
製品:	SiC Modules
タイプ:	Half Bridge
技術:	SiC
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.78 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	900 V
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 19 V
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	Module
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
ブランド:	Wolfspeed
Id - 連続ドレイン電流:	399 A
Pd - 電力損失:	1.63 kW
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.8 mOhms
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Discrete Semiconductor Modules
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.7 kV
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V

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データシート

HAS310M17BM3 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

62mmシリコンカーバイド・ハーフブリッジモジュール

Wolfspeed 1,200Vおよび1,700V 62mmシリコンカーバイド（SiC）ハーフブリッジモジュールは、SiCのシステムメリットと堅牢でインダクタンスが低いレイアウトを兼ね備えています。ハーフブリッジモジュールは、SiCのスイッチング損失と導通損失が低いため、システム効率が向上しているのが特徴です。これらのパワーモジュールには、低インダクタンスの内部レイアウトが搭載されており、最小限のオーバーシュートとリンギングでの最大電圧を使用することが可能です。ハーフブリッジモジュールは、堅牢なCTEマッチングで熱抵抗を低減する窒化アルミニウム・セラミック、または最大接合部温度での動作を維持する窒化ケイ素セラミックから選択できます。

1700V BM SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed 1700V BMシリコンカーバイド（SiC）ハーフブリッジパワーモジュールは、業界標準の62mmフットプリント、銅ベースプレート、窒化アルミニウム絶縁体が特徴です。これらのモジュールは、超低損失、高周波数動作、MOSFETからのゼロターンオフテール電流、ダイオードからのゼロ逆回復を実現します。このハーフブリッジモジュールは、システムレトロフィットが可能になる62mmフォームファクタが備わっており、SiCのスイッチング損失と伝導損失が低いため効率性が向上します。これらのモジュールは、-40°C〜+150°Cの仮想接合部温度範囲、310Aの電流（ID）、および-40°C〜+125°Cのケース温度範囲内で動作します。Wolfspeed 1700V BM SiCハーフブリッジモジュールは、誘導加熱、モータドライブ、再生可能エネルギー、EV急速充電アプリケーションに最適です。

HAS 過酷環境SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed HAS 過酷環境シリコンカーバイド (SiC) ハーフブリッジモジュールは、堅牢な業界スタンダードの62mmモジュールパッケージを維持しながら、SiCのシステム上のメリットを実現しています。低インダクタンスのレイアウトによる内部設計により、高速SiCスイッチングのメリットとシステム効率の向上が可能になります。Wolfspeed HAS モジュールは、誘導加熱、鉄道/牽引、モータドライブ、EV 充電インフラなどの高周波産業用アプリケーションに最適です。